University of Illinois at Urbana-Champaign.;
机译:单级和多面体GaN基混合射频功率放大器的开发,用于准恒定包络和高峰值,以实现平均功率比无线标准
机译:高性能基于GaN的发光二极管的蓝宝石衬底处理:蓝宝石衬底的微图案化及其对基于GaN的发光二极管中光增强的影响
机译:下一代纳米机电开关接触材料:完全电子场效应晶体管的低功率机械替代品。
机译:技术发展追求高性能常压GaN的血管
机译:使用碳纳米管晶体管设计低功耗和高性能数字电路。
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:在适用于CAD的时标上,首次展示了微波功率FET和MMIC的完全物理的,与时间相关的耦合电热仿真结果。这是通过将功率FET或MMIC中随时间变化的热流的原始分析热阻矩阵模型与晶体管的完全物理电CAD模型相结合来实现的。