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第一章绪论
第二章基准电压源的基本原理及发展状况
第三章高性能带隙基准电压源的电路设计
第四章高性能带隙基准电压源的电路仿真
结论
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间发表的论文
赵芳兰;
西南交通大学;
电源管理; 带隙基准; 电源抑制比; 稳压电源;
机译:采用分段指数补偿技术的1.3 ppm /℃BiCMOS带隙基准电压源
机译:采用分段指数补偿技术的1.3 ppm /°C BiCMOS带隙基准电压源
机译:具有完整温度范围曲率补偿的2.2V 2.9ppm /°C BiCMOS带隙基准电压源
机译:基于发射极的短期研究和低成本,高性能0.18um SiGe BiCMOS工艺的改进
机译:高效高性能毫米波前端集成电路设计和技术在SiGE BICMOS中
机译:钙钛矿杂化钙的快速微波退火工艺消除了高性能光伏的杂相
机译:基于体BiCMOS工艺的单片射频功率放大器设计
机译:高级高性能船舶应用的材料和制造工艺的权衡研究。第一卷
机译:钛硅化物基于CMOS的高性能BICMOS工艺中的硅化铂肖特基二极管
机译:自对准垂直PNP晶体管,用于高性能SiGe CBiCMOS工艺
机译:集成的simos-nmos和pmos晶体管具有高性能-bicmos-工艺
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