首页> 中文学位 >基于BICMOS工艺的高性能基准电压源研究
【6h】

基于BICMOS工艺的高性能基准电压源研究

代理获取

目录

文摘

英文文摘

第一章绪论

第二章基准电压源的基本原理及发展状况

第三章高性能带隙基准电压源的电路设计

第四章高性能带隙基准电压源的电路仿真

结论

致谢

参考文献

攻读硕士学位期间发表的论文

展开▼

摘要

所有电气或电子设备都需要电源来维持正常工作,对供电电压都有一定的要求。因此根据不同的要求,人们先后研制出各种各样的稳压电源,从比较早的串联型稳压电源到如今广泛应用的开关电源。便携式产品一直都是电源管理芯片主要的应用领域之一,近几年,该类产品发展迅速,便携式电子产品的升级,必然使得其对电源管理芯片提出更高的要求。随着半导体技术的不断发展,高效、低功耗、低电压、高精度、低噪声、高集成的电源管理芯片成为未来的发展趋势。 本论文对当今最流行的电源管理芯片中的最重要的模块单元基准电压源进行了深入的研究,设计出了适合于电源管理芯片中的带隙基准电压源,该研究成果得到了国家自然科学基金和四川省学术带头人基金的资助。 温度无关性和电压稳定性是基准电压源的重要指标,直接影响电源管理芯片输出电压的稳定性及各项性能指标。本文在分析了带隙基准电压源的基本原理后,介绍了目前带隙基准的研究进展,总结了目前几种电路结构的优缺点。在比较了各种常用的带隙基准电压源结构的基础上,针对电源芯片的性能要求提出基准电路的主要设计指标,并据此设计出了高性能的带隙基准电路。 本文主要贡献在于论文设计了一个运用0.6umBICMOS工艺实现的带隙基准电压源,由于避免了使用运算放大器,消除了运放失调电压产生的温漂,使基准具有低温度系数,而且通过加入共栅极管提高电源抑制比,在加入补偿电容实现宽频带内高电源抑制比和低噪声的同时,设计了精确控制的补偿电容充电电路保证了基准电路在较短的时间内启动。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号