声明
第一章 绪 论
1.1研究工作背景与意义
1.2国内外研究现状和动态
1.3本论文的主要工作
第二章 高压LDMOS的基本结构和耐压原理
2.1高压LDMOS的基本结构
2.2 高压 LDMOS的耐压原理
2.3线性变掺杂技术
2.4本章总结
第三章 具有线性变掺杂N-top层的triple RESURF LDMOS
3.1 具有线性变掺杂N-top层的triple RESURF体硅LDMOS器件
3.2 具有线性变掺杂N-top层的triple RESURF LDMOS的掺杂分布
3.3具有线性变掺杂N-top层的triple RESURF LDMOS结构优化
3.4线性变掺杂N-top层的triple RESURF LDMOS工艺流程的设计
3.5 本章小结
第四章 具有N-top层的triple RESURF LDMOS的Ron,sp和BV模型
4.1具有均匀高掺杂N-top层的triple RESURF体硅LDMOS器件结构
4.2均匀掺杂N-top层的triple RESURF LDMOS器件的模型推导
4.3 N-top层的triple RESURF LDMOS不同温度的模型推导及拟合
4.4 N-top层的triple RESURF LDMOS结构在LED驱动电路中的应用
4.5 本章小结
第五章 结论
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间取得的研究成果