一种低比导通电阻LDMOS器件及其终端结构研究

目录

声明

第一章 绪论

1.1 课题背景及其研究意义

1.2 国内外研究现状和动态

1.2.1 LDMOS器件的发展动态

1.2.2 LDMOS器件终端技术的发展动态

1.2.3 LDMOS器件硅极限模型的发展动态

1.3 本文的研究意义与主要工作

第二章 高压 LDMOS的基本结构和耐压原理

2.1 高压 LDMOS的基本结构

2.1.1 高压 LDMOS器件基本结构及工作原理

2.1.2高压LDMOS器件的基本版图结构

2.2 高压 LDMOS器件的耐压原理

2.2.1 高压 LDMOS器件直道区的耐压原理

2.2.2 高压 LDMOS器件终端区的耐压原理

2.3 本章小结

第三章 具有 N-P-N层的 Triple RESURF LDMOS 器件结构与模型推导

3.1 具有 N-P-N层的 Triple RESURF LDMOS器件结构

3.2具有 N-P-N层的 Triple RESURF LDMOS硅极限模型的推导

3.3具有 N-P-N层的 Triple RESURF LDMOS工艺流程设计

3.4本章小结

第四章 具有 N-P-N层的 Triple RESURF LDMOS 器件仿真优化设计

4.1具有 N-P-N层的 Triple RESURF LDMOS直道区优化设计

4.1.1 鸟嘴区的优化设计

4.1.2 N-P-N各层注入剂量的优化设计

4.1.3 N-P-N各层注入能量的优化设计

4.2 具有 N-P-N 层的 Triple RESURF LDMOS 与传统结构的仿真结果对比

4.3 具有 N-P-N层的 Triple RESURF LDMOS终端区优化设计

4.3.1具有 N-P-N层的 Triple RESURF LDMOS的三维结构

4.3.2具有 N-P-N层的 Triple RESURF LDMOS过渡区的优化设计

4.4 本章小结

第五章 具有 N-P-N层的 Triple RESURF LDMOS 器件的实验结果

5.1具有 N-P-N层的 Triple RESURF LDMOS的拉偏结果

5.2具有 N-P-N层的 Triple RESURF LDMOS的优化实验结果

5.3具有 N-P-N层的 Triple RESURF LDMOS与同类器件的对比

5.4本章小结

第六章 全文总结与展望

6.1全文总结

6.2工作展望

致谢

参考文献

攻读硕士学位期间取得的成果