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LDMOS导通电阻的测量电路

摘要

本申请公开了一种LDMOS导通电阻的测量电路,涉及电子器件检测技术领域。LDMOS导通电阻的测量电路,包括:LDMOS器件,设置有漏极框架、源极框架;漏极框架设有第一点集、第二点集,源极框架设有第三点集、第四点集,第一点集、第二点集、第三点集、第四点集中均包括测试点和电流点;第一电流源,用于加载第一电流,以使第一电流回路具有第一电压;第二电流源,用于加载第二电流,以使第二电流回路具有第二电压,并使第二电压和的第一电压之间的差值满足预设范围;第一电流、第二电流、第一电压、第二电压用于计算得到导通电阻。本申请的测量电路,能够实现导通电阻的精确测量。

著录项

  • 公开/公告号CN215641511U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2022-01-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东莞市长工微电子有限公司;

    申请/专利号CN202121708076.1

  • 发明设计人 梁友谦;

    申请日2021-07-26

  • 分类号G01R27/08(20060101);

  • 代理机构44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司;

  • 代理人熊思远

  • 地址 523808 广东省东莞市松山湖园区红棉路6号8栋401室

  • 入库时间 2022-08-23 04:12:09

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