公开/公告号CN215641511U
专利类型实用新型
公开/公告日2022-01-25
原文格式PDF
申请/专利权人 东莞市长工微电子有限公司;
申请/专利号CN202121708076.1
发明设计人 梁友谦;
申请日2021-07-26
分类号G01R27/08(20060101);
代理机构44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司;
代理人熊思远
地址 523808 广东省东莞市松山湖园区红棉路6号8栋401室
入库时间 2022-08-23 04:12:09
机译: 一起改善LDMOS晶体管的导通电阻和击穿电压的LDMOS晶体管及其制造方法
机译: 导通电阻降低的功率LDMOS半导体器件及其制造方法
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