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第一章引言
第二章硅锗分子束外延系统简介及Si衬底处理技术
第三章高应变驰豫低位错密度硅锗合金的局域生长
第四章Si(001)衬底上Ge量子点的低温生长及红外吸收特性研究
第五章高均匀性Si1-xGex/Si异质结内光电子发射红外线探测器阵列研究
发表文章:
致谢
论文独创性声明及论文使用授权声明
路向党;
复旦大学;
MBE生长; Si异质结器件; SiGe异质结器件; 光电子器件;
机译:MBE生长的高性能δ调制掺杂Si / SiGe异质结FET
机译:n-p-n Si / SiGe / Si异质结双极晶体管材料的低温生长过程中通过气源分子束外延掺杂
机译:基于MBE的SiGe / Si异质结多层结构
机译:用于光子器件的GeSn和SiGeSn异质结的MBE生长
机译:MBE生长的碲化锌,锑化镓的材料特性及其在光电器件中的异质结构。
机译:具有T形栅极的高性能Si / SiGe异质结隧穿FET的设计
机译:使用Au和Ga-Au催化剂生长的SiGe纳米线和SiGe / Si纳米线轴向异质结的增强信号微拉曼研究
机译:使用多个siGe / si层的长波长堆叠siGe / si异质结内部光电发射红外探测器
机译:SiGe异质结双极晶体管和形成SiGe异质结双极晶体管的方法
机译:高速复合p沟道Si / SiGe异质结的场效应器件
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