机译:n-p-n Si / SiGe / Si异质结双极晶体管材料的低温生长过程中通过气源分子束外延掺杂
n-type doping; p-type doping; Si/SiGe; HBT; GSMBE;
机译:气源分子束外延技术原位掺杂控制n-p-n Si / SiGe / Si异质结双极晶体管的生长
机译:Si_2H_6气体和Ge固体源分子束外延生长SiGe异质结双极晶体管
机译:在气体源Si分子束外延中使用P和B掺杂层的选择性外延生长来制造双极晶体管
机译:固体源分子束外延生长的掺碳GaInP / GaAs异质结双极晶体管的高温特性
机译:利用金属有机分子束外延生长和表征高速掺C的基极InP / InGaAs异质结双极晶体管。
机译:GaAs 111 B上Si掺杂InAs纳米线分子束外延生长过程中的合金形成
机译:气源分子束外延技术原位掺杂控制n-p-n Si / SiGe / Si异质结双极晶体管的生长
机译:si和siGe合金的气源分子束外延中的表面过程(Gas Bron moleculaire Bundel Epitaxie van si en siGe Legeringen中的Oppervlakte processen)