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Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications
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1.
Quantum Dot Lasers and Amplifiers
机译:
量子点激光器和放大器
作者:
Udo W. Pohl
;
Dieter Bimberg
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
2.
Submicrometer scale growth morphology control for the making of photonic crystal structures
机译:
用于制造光子晶体结构的亚微米级生长形态控制
作者:
E. Gil-Lafon
;
A. Trassoudaine
;
D. Castelluci
;
A. Pimpinelli
;
R. Saoudi
;
O. Parriaux
;
A. Muravaud
;
C. Darraud
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
3.
MBE Growth Study of GaAsSbN/GaAs Single Quantum Wells
机译:
GaAsSbN / GaAs单量子阱的MBE生长研究
作者:
Liangjin Wu
;
Shanthi Iyer
;
Kalyan Nunna
;
Jia Li
;
Sudhakar Bharatan
;
Ward Collis
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
4.
Feature Size and Density Effects in Wet Selective Etching of GaAs/AlAs p-HEMT Structures with Organic Acid - Peroxide Solutions
机译:
GaAs / AlAs p-HEMT结构与有机酸-过氧化物溶液湿法刻蚀中的特征尺寸和密度效应
作者:
Vinay S. Kulkarni
;
Kanti Prasad
;
William Quinn
;
Frank Spooner
;
Changmo Sung
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
5.
1.5 micron InAs quantum dot lasers based on metamorphic InGaAs/GaAs heterostructures
机译:
基于变质InGaAs / GaAs异质结构的1.5微米InAs量子点激光器
作者:
V.M.Ustinov
;
A.E.Zhukov
;
A.R.Kovsh
;
N.A.Maleev
;
S.S.Mikhrin
;
A.P.Vasilev
;
E.V.Nikitina
;
E.S.Semenova
;
N.V.Kryzhanovskaya
;
Yu.G.Musikhin
;
Yu.M.Shernyakov
;
M.V.Maximov
;
N.N.Ledentsov
;
D.Bimberg
;
Zh.LAlferov
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
6.
ELECTRONIC STRUCTURE OF NATIVE POINT DEFECTS IN Z_NG_EP_2
机译:
Z_NG_EP_2中自然点缺陷的电子结构
作者:
XIAOSHU JIANG
;
M.S. MIAO
;
WALTER R. L. LAMBRECHT
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
7.
Estimates of Impact Ionization Coefficients in Superlattice-Based Mid-Wavelength Infrared Avalanche Photodiodes
机译:
基于超晶格的中波长红外雪崩光电二极管的碰撞电离系数估计
作者:
C.H. Grein
;
K. Abu El-Rub
;
M.E. Flatte
;
H. Ehrenreich
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
8.
Fabrication of side-illuminated p-i-n Photodiode with waveguide layers
机译:
具有波导层的侧面照明p-i-n光电二极管的制造
作者:
Byungok Jeon
;
Seungkee Yang
;
Hwayoung Kang
;
Doyoung Rhee
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
9.
Crystal Growth and Electrical Characterization of InSbN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
机译:
金属有机气相外延生长InSbN的晶体生长和电学表征
作者:
T. Ishiguro
;
Y. Kobori
;
Y. Nagawa
;
Y. Iwamura
;
S. Yamaguchi
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
10.
Growth and characterization of InAs quantum dots on GaAs (100) emitting at 1.31μm
机译:
GaAs(100)上以1.31μm发射的InAs量子点的生长和表征
作者:
V. Celibert
;
B. Salem
;
G. Guillot
;
C. Bru-Chevallier
;
L. Grenouillet
;
P. Duvaut
;
P. Gilet
;
A. Million
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
11.
Growth of Rhombohedral B_(12)P_2 Thin Films on 6H-SiC(0001) By Chemical Vapor Deposition
机译:
化学气相沉积法在6H-SiC(0001)上生长菱形B_(12)P_2薄膜
作者:
Peng Lu
;
J.H. Edgar
;
J.Pomeroy
;
M.Kuball
;
H.M. Meyer
;
T. Aselage
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
12.
Laser Power and Temperature Dependent Photoluminescence Characteristics of Annealed GaInNAs/GaAs Quantum Well
机译:
退火GaInNAs / GaAs量子阱的激光功率和温度相关的光致发光特性
作者:
Ng Tien Khee
;
Yoon Soon Fatt
;
Fan Weijun
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
13.
Modeling of recombination lifetimes in charge-separation device structures
机译:
电荷分离装置结构中复合寿命的建模
作者:
Jamiyanaa Dashdorj
;
Richard Ahrenkiel
;
Wyatt Metzger
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
14.
Mixing Rocksalt and Wurtzite Structure Binary Nitrides to Form Novel Ternary Alloys: ScGaN and MnGaN
机译:
混合岩盐和纤锌矿结构二元氮化物以形成新型三元合金:ScGaN和MnGaN
作者:
Costel Constantin
;
Hamad Al-Brithen
;
Muhammad B. Haider
;
David Ingram
;
Arthur R. Smith
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
15.
Nanoengineered Quantum Dot Active Medium for Thermally-Stable Laser Diodes
机译:
用于热稳定激光二极管的纳米工程量子点活性介质
作者:
V. Tokranov
;
M. Yakimov
;
A. Katsnelson
;
M. Lamberti
;
G. Agnello
;
S. Oktyabrsky
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
16.
Non-Contact Determination of Free Carrier Concentration in n-GaInAsSb
机译:
非接触确定n-GaInAsSb中自由载流子浓度
作者:
James E. Maslar
;
Wilbur S. Hurst
;
Christine A. Wang
;
Daniel A. Shiau
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
17.
Observation of Retarded Recombination in Charge-Separation Structures
机译:
电荷分离结构中延迟复合的观察
作者:
R.K. Ahrenkiel
;
D. Friedman
;
W. K. Metzger
;
M. Page
;
J. Dashdorj
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
18.
Optical Properties of Bulk and Epitaxial ZnO for Waveguide Applications
机译:
用于波导的块状和外延ZnO的光学性质
作者:
S. Ganesan
;
Z. C. Feng
;
D. Mehta
;
K. Shalini
;
E. J. Wornyo
;
W. M. Nemeth
;
W.S. Rees
;
J. Nause
;
I. Ferguson
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
19.
HVPE-based orientation-patterned GaAs : added-value for non-linear applications
机译:
基于HVPE的取向图案GaAs:用于非线性应用的附加值
作者:
Faye D.
;
Lallier E.
;
Grisard A.
;
Gerard B.
;
Gil-Lafon E.
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
20.
Growth and Properties of AlGaInP Resonant Cavity Light Emitting Diodes (RCLEDs) on Ge/SiGe/Si Substrates
机译:
Ge / SiGe / Si衬底上AlGaInP谐振腔发光二极管(RCLED)的生长和性能
作者:
O. Kwon
;
J. Boeckl
;
M. L. Lee
;
A. J. Pitera
;
E. A. Fitzgerald
;
S. A. Ringel
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
21.
Growth and Characterization of GaPNAs on Si
机译:
GaPNAs在Si上的生长和表征
作者:
John Geisz
;
J. M. Olson
;
W. E. McMahon
;
T. Hannappel
;
K. Jones
;
H. Moutinho
;
M. M. Al-Jassim
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
22.
A study of anion exchange reactions at GaAs surfaces for heterojunction interface control
机译:
GaAs表面阴离子交换反应用于异质结界面控制的研究
作者:
Maria Losurdo
;
Danilo Giuva
;
Pio Capezzuto
;
Giovanni Bruno
;
Terence Brown
;
Greg Triplett
;
Gary May
;
April S. Brown
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
23.
A New Class of Solar Cells: Isomeric Boron Carbide Semiconductors with Fourth Quadrant Conductivity
机译:
新型太阳能电池:具有四象限电导率的Isomeric碳化硼半导体
作者:
Ravi B. Billa
;
A. N. Caruso
;
J. I. Brand
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
24.
BEAM INDUCED LATERAL EPITAXY: A NEW WAY TO LATERAL GROWTH IN MOLECULAR BEAM EPITAXY
机译:
束引起的横向表位增生:分子束表观的横向生长的新途径
作者:
Shigeya Naritsuka
;
Koji Saitoh
;
Takashi Suzuki
;
Takahiro Maruyama
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
25.
Analysis of Emission Rate Measurements in a Material Showing a Meyer-Neldel- Rule
机译:
显示Meyer-Neldel-法则的材料的排放率测量分析
作者:
Richard S. Crandall
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
26.
Characterization of bulk crystals of transition metal doped ZnO for spintronic applications
机译:
自旋电子学应用中过渡金属掺杂的ZnO体晶体的表征
作者:
M. H. Kane
;
R. Varatharjan
;
Z. C. Feng
;
S. Kandoor
;
J. Nause
;
C. Summers
;
I. T. Ferguson
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
27.
Characterization of zinc oxide single crystals for epitaxial wafer applications
机译:
外延晶圆应用中氧化锌单晶的表征
作者:
Naoki Ohashi
;
Takeshi Ohgaki
;
Shigeaki Sugimura
;
Katsumi Maeda
;
Isao Sakaguchi
;
Haruki Ryoken
;
Ikuo Niikura
;
Mitsuru Sato
;
Hajime Haneda
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
28.
CdZnSe/Zn(Be)Se Quantum Dot Structures: Size, Chemical Composition and Phonons
机译:
CdZnSe / Zn(Be)Se量子点结构:尺寸,化学组成和声子
作者:
Y. Gu
;
Igor L. Kuskovsky
;
J. Fung
;
R. Robinson
;
I. P. Herman
;
G. F. Neumark
;
X. Zhou
;
S. P. Guo
;
M. C. Tamargo
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
29.
Determination of the Nitrogen Acceptor Ionization Energy in Zinc Oxide by Photoluminescence Spectroscopy
机译:
光致发光光谱法测定氧化锌中氮受体的电离能
作者:
Lijun Wang
;
N. Y. Garces
;
L. E. Halliburton
;
N. C. Giles
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
30.
Diffuse x-ray scattering from InGaAs/GaAs quantum dots
机译:
来自InGaAs / GaAs量子点的扩散X射线散射
作者:
Rolf Koehler
;
Daniil Grigoriev
;
Michael Hanke
;
Martin Schmidbauer
;
Peter Schaefer
;
Stanislav Besedin
;
Udo W. Pohl
;
Roman L. Sellin
;
Dieter Bimberg
;
Nikolai D. Zakharov
;
Peter Werner
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
31.
First electrically injected QD-MCLED emitting at 1.3 μm, grown by metal organic chemical vapour deposition
机译:
通过金属有机化学气相沉积法生长的首个电注入QD-MCLED发射出1.3μm的光
作者:
V. Tasco
;
M.T. Todaro
;
M. De Giorgi
;
M. De Vittorio
;
R. Cingolani
;
A. Passaseo
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
32.
Infrared Dielectric Properties of In_(1-x)Ga_xAs Epilayers on InP (100)
机译:
InP(100)上In_(1-x)Ga_xAs外延层的红外介电性能
作者:
N. L. Rowell
;
G. Yu
;
D. J. Lockwood
;
P. J. Poole
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
33.
Polarization Spectroscopy of Charged Single Self-Assembled Quantum Dots
机译:
带电的单个自组装量子点的偏振光谱
作者:
Morgan E. Ware
;
Allan Bracket
;
Daniel Gammon
;
David Gershoni
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
34.
Pulsed Laser Deposition of Bi- And Sb-based Solid Solutions and Multilayer Structures
机译:
Bi和Sb固溶体和多层结构的脉冲激光沉积
作者:
Arik G. Alexanian
;
Hovsep N. Avetisyan
;
Karapet E. Avjyan
;
Nikolay S. Aramyan
;
Garegin A. Aleksanyan
;
Romen P. Grigoryan
;
Ashot M. Khachatryan
;
Arsham S. Yeremyan
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
35.
Pump Wavelength Tuning of Optical Pumping Injection Cavity Lasers for Enhancing Mid-Infrared Operation
机译:
光学泵浦注入腔激光器的泵浦波长调谐,以增强中红外操作
作者:
Todd C. McAlpine
;
Katherine R. Greene
;
Michael R. Santilli
;
Linda J. Olafsen
;
William W. Bewley
;
Christopher L. Felix
;
Igor Vurgaftman
;
Jerry R. Meyer
;
M. J. Yang
;
Hao Lee
;
Ramon U. Martinelli
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
36.
Evidence for localization effects in GaAsSb/InP heterostructures from optical spectroscopy
机译:
GaAsSb / InP异质结构中的局域效应的光谱学证据
作者:
Houssam Chouaib
;
Catherine Bru-Chevallier
;
Taha Benyattou
;
Hacene Lahreche
;
Philippe Bove
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
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2003年
37.
Acceptors in undoped gallium antimonide
机译:
未掺杂的锑化镓中的受体
作者:
M. K. Lui
;
C. C. Ling
;
X. D. Chen
;
K.W.Cheah
;
K.F. Li
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
38.
Analysis of Photoluminesencce Efficiency of Annealed GaInNAs Quantum Well Grown by Solid Source Molecular Beam Epitaxy
机译:
固体源分子束外延生长退火GaInNAs量子阱的光致发光效率分析
作者:
Ng Tien Khee
;
Yoon Soon Fatt
;
Fan Weijun
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
39.
Defect Engineering and Atomic Relocation Processes in Impurity-Free Disordered GaAs and AlGaAs
机译:
无杂质无序GaAs和AlGaAs中的缺陷工程和原子重定位过程
作者:
P. N. K. Deenapanray
;
M. Krispin
;
W. E. Meyer
;
H. H. Tan
;
C. Jagadish
;
F. D. Auret
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
40.
Deep Levels in Multilayer Structures of Si/Si_(0.8)Ge_(0.2) Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition
机译:
低压化学气相沉积法生长的Si / Si_(0.8)Ge_(0.2)多层结构中的深能级
作者:
Yutaka Tokuda
;
Kenichi Shirai
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
41.
Defects and Surfactant Action of Antimony on GaAs and GaAs_(1-x)N_x on GaAs 100 by Molecular Beam Epitaxy
机译:
分子束外延研究锑对GaAs和GaAs_(1-x)N_x的缺陷和表面活性100
作者:
W. K. Cheah
;
W. J. Fan
;
S. F. Yoon
;
S. Wicaksono
;
R. Liu
;
A. T. S. Wee
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
42.
Electrostatic Force Microscopy and Secondary Electron Imaging of Double Stacking Faults in Heavily n-type 4H-SiC after Oxidation
机译:
n型4H-SiC氧化后双堆垛层错的静电力显微镜和二次电子成像
作者:
M.K. Mikhov
;
B.J. Skromme
;
R. Wang
;
C. Li
;
I. Bhat
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
43.
Electrical Properties of β-FeSi_2/Si Hetero-Diode Improved by Pulsed Laser Annealing
机译:
脉冲激光退火改善β-FeSi_2/ Si异质二极管的电性能
作者:
Keiichi Tsuchiya
;
Noboru Miura
;
Hironaga Matsumoto
;
Ryotaro Nakano
;
Shin-ichiro Uekusa
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
44.
Elevated Temperature Characteristics of Carbon-Doped GaInP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor Grown by Solid Source Molecular Beam Epitaxy
机译:
固体源分子束外延生长的掺碳GaInP / GaAs异质结双极晶体管的高温特性
作者:
Zhang Rong
;
Yoon Soon Fatt
;
Tan Kianhua
;
Sun Zhongzhe
;
Huang Qingfeng
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
45.
Room-Temperature Defect Tolerance of Shape Engineered Quantum Dot Structures
机译:
形状工程量子点结构的室温缺陷容限
作者:
Matthew Lamberti
;
Alex Katsnelson
;
Michael Yakimov
;
Gabriel Agnello
;
Vadim Tokranov
;
Serge Oktyabrsky
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2003年
46.
The Influence of GaSb Layer Thickness on the Band Gap of InAs/GaSb Type-Ⅱ Superlattices for Mid-Infrared Detection
机译:
GaSb层厚度对InAs / GaSbⅡ型超晶格中红外检测带隙的影响
作者:
Heather J. Haugan
;
Frank Szmulowicz
;
Gail J. Brown
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
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2003年
47.
3C-SiC modulator for high-speed integrated photonics
机译:
用于高速集成光子学的3C-SiC调制器
作者:
Carlos Angulo Barrios
;
Christopher Ian Thomas
;
Michael Spencer
;
Michal Lipson
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
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2003年
48.
Wide Bandgap Materials for Semiconductor Spintronics
机译:
半导体自旋电子学的宽带隙材料
作者:
S.J.Pearton
;
C.R.Abernathy
;
G.T.Thaler
;
R.Frazier
;
D.P.Norton
;
J.Kelly
;
R.Rairigh
;
A.F.Hebard
;
Y.D.Park
;
J.M.Zavada
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
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2003年
49.
Undoped gallium antimonide studied by positron annihilation spectroscopy
机译:
正电子an没光谱研究未掺杂的锑化镓
作者:
S. K. Ma
;
C. C. Ling
;
H. M. Weng
;
D. S. Hang
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
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2003年
50.
The Effects of Atmosphere, Temperature, and Bandgap on the Annealing of GaInNAs for Solar Cell Applications
机译:
气氛,温度和带隙对GaInNAs退火的影响,用于太阳能电池应用
作者:
A.J. Ptak
;
Sarah Kurtz
;
M. Young
;
C. Kramer
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
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2003年
51.
Synthesis of Aligned ZnO Hexagonal Nanorods and Its Application to ZnS Based DC Electroluminescent Devices
机译:
对准的ZnO六角形纳米棒的合成及其在ZnS基直流电致发光器件中的应用
作者:
Takashi Hirate
;
Hironori Tanaka
;
Shinya Sasaki
;
Makoto Ozawa
;
Weichi Li
;
Tomomasa Satoh
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
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2003年
52.
Spin-Dependent Optical Processes in Ⅱ-Ⅵ Diluted Magnetic Semiconductor Nanostructures
机译:
Ⅱ-Ⅵ稀释的磁性半导体纳米结构中自旋相关的光学过程
作者:
Yasuo Oka
;
Kentaro Kayanuma
;
Mio Sakuma
;
Ayahito Uetake
;
Izuru Souma
;
Zhanghai Chen
;
Akihiro Murayama
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
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2003年
53.
MOCVD Growth of InAlAsSb Layer for High-Breakdown Voltage HEMT Applications
机译:
用于高击穿电压HEMT应用的InAlAsSb层的MOCVD生长
作者:
Haruki Yokoyama
;
Hiroki Sugiyama
;
Yasuhiro Oda
;
Michio Sato
;
Noriyuki Watanabe
;
Takashi Kobayashi
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
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2003年
54.
Near-Field Magneto-Photoluminescence of Singe Self-Organized Quantum Dots
机译:
单个自组织量子点的近场磁致发光
作者:
A. M. Mintairov
;
A. S. Vlasov
;
J. L.Merz
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
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2003年
55.
Growth Structure, and Optical Properties of Ⅲ-Nitride Quantum Dots
机译:
Ⅲ-氮化物量子点的生长结构和光学性质
作者:
Hadis Morkoc
;
Arup Neogi
;
Martin Kuball
会议名称:
《Progress in Compound Semiconductor Materials III: Electronic and Optoelectronic Applications》
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2003年
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