Air Force Research Laboratory, Materials Manufacturing Directorate, Wright-Patterson AFB, OH 45433-7707, U.S.A.;
机译:AlSb和InAs-GaSb层厚度对InAs / AlSb / GaSb II型超晶格中HH-LH分裂和带隙能的影响
机译:基于GaSb的Ⅱ型InAs / GaSb超晶格光电二极管的生长和表征
机译:基于GaSb的Ⅱ型InAs / GaSb超晶格光电二极管的生长和表征
机译:Ⅱ型INAS / GASB超晶格中红外P-I-N光电探测器电气特性模拟分析
机译:InAs / GaSb II型应变层超晶格中的缺陷研究。
机译:InAs / GaSb和GaSb / InAs核-壳纳米线的能带反转间隙
机译:用于中红外检测的基于GaSb的II型InAs / GaSb超晶格光电二极管的生长和表征
机译:界面和自旋轨道带对标准包络函数逼近之外的Inas / Gasb超晶格带隙的影响