一种具有强制p型表面态的InAs/GaSb二类超晶格光探测器

摘要

本发明公开了一种具有强制p型表面态的InAs/GaSb二类超晶格光探测器，所述InAs/GaSb二类超晶格光探测器的吸收区为p型，所述吸收区的能带结构依次包括有超晶格导带、超晶格价带、体导带、体价带，在吸收区的能带结构中，吸收区的表面态位于超晶格价带顶的上方但与超晶格价带顶的间隙小于3kBT，或者表面态位于超晶格价带顶的下方，其中kB是玻尔兹曼常数，T是InAs/GaSb二类超晶格光探测器的工作温度。本发明的InAs/GaSb二类超晶格光探测器表面态位于与超晶格价带顶的上方但与超晶格价带顶的间隙小于3kBT，或者表面态位于与超晶格价带顶的下方，使得表面态转变为p型，与吸收区同型，从而消除表面SRH暗电流，提高探测器的性能。