一种具有强制p型表面态的InAs/GaSb(Bi)二类超晶格光探测器

摘要

本发明公开了一种具有强制p型表面态的InAs/GaSb(Bi)二类超晶格光探测器，所述光探测器的吸收区为p型，所述二类超晶格光探测器的吸收区包括有InAs层和GaSb层，所述GaSb层中凝入有Bi元素，Bi元素将吸收区的能带结构中超晶格价带顶抬升至距离表面态小于3kBT，或者高于表面态。本发明的有益效果是：本发明通过在传统的InAs/GaSb二类超晶格光探测器吸收区的GaSb层中凝入一定量的Bi元素，通过Bi元素使得吸收区中超晶格价带抬升至高于吸收区的表面态，从而使得表面态转变成与吸收区同型的p型，消除表面SRH暗电流，提高探测器的性能。