摘要
Abstract
第一章 引言
第一节 集成电路光刻技术概述
第二节 光刻技术在集成电路中的作用
第三节 光刻工艺的重要参数
第四节 本文研究的主要内容和方向
第二章 0.13 μ m工艺平台黄光工艺介绍
第一节 光刻设备介绍
第二节 光刻工艺流程介绍
第三节 光刻工艺的评价标准
第四节 小结
第三章 0.13 μ m显影工艺的优化
第一节 显影的化学组分和显影的微观过程
第二节 显影工艺的显影喷嘴(Dev Nozzle)的改善
第三节 工艺条件相关参数方面优化
第四节 小结
第四章 分辨率增强技术
第一节 PSM(phase shift mask)的应用
第二节 光学邻近修正
第三节 偏轴光源光刻
第四节 抗反射涂布
第五节 小结
结论
参考文献
致谢
