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机译:光致抗蚀剂的电沉积:优化沉积条件,光刻工艺和耐化学性的研究
Electrodeposition of photoresist; Three-dimensional patterning; Chemical photoresist resistance; Process optimization of electrodeposited resists; Photolithography;
机译:光致抗蚀剂的电沉积:优化沉积条件,光刻工艺和耐化学性的研究
机译:各种氧化铜电沉积条件对光电化学制氢的实验研究
机译:研究极端条件下暴露于DIII-D偏滤器等离子体的石墨样品表面沉积层中的结构,化学成分,氢同位素俘获和释放过程
机译:光刻工艺的物理描述:烘烤条件与光刻胶对比度之间的关系
机译:157 nm光刻胶材料的特性,用于高级光刻工艺。
机译:通过电沉积和选择性去除绝缘光刻胶来控制碳纤维微电极的电化学活性区域
机译:一种新型化学扩增的DUV光致抗蚀剂族的光刻性能和污染抗性。