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声明
第一章 绪论
§1.1 GAN材料简介
§1.2 GAN器件发展历程以及本文的研究意义
§1.3 FP-HEMTs国际国内研究现状
§1.4本文的主要工作与安排
第二章 场板对器件的影响
§2.1场板提高击穿电压机理
§2.2 GAN基FP-HEMT器件的基本模型和器件特性
2.2.1 ATLAS(Silvaco)软件
2.2.2 GaN基HEMT仿真的基本问题
2.2.3 FP-HEMT的基本模型
§2.3本章小结
第三章 GAN HEMTs击穿的研究与击穿电压的测量方法
§3.1HEMT器件发生击穿的区域的研究
§3.2击穿电压的测量
3.2.1 常规击穿电压测量的方法以及其局限性
3.2.2漏极电流注入技术(DCIT)
§3.3击穿电压的WalKout现象
§3.4本章小结
第四章 AlGaN/GaN FP-HEMTs的制造与研究
§4.1 AlGaN/GaN FP-HEMTs的制造
4.1.1 AlGaN/GaN HEMTs制造的基本工艺流程
4.1.2 AlGaN/GaN FP-HEMTs的制造
§4.2 AlGaN/GaN FP-HEMTs的研究
4.2.1 AlGaN/GaN FP-HEMTs直流特性的研究
4.2.2 AlGaN/GaN HEMTs中击穿电压与电流崩塌的矛盾
§4.3本章小结
第五章 结束语
致谢
参考文献
作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目