声明
1 绪论
1.1 前言
1.2 国内外InP基HEMT器件的发展
1.2.1 国外发展现状
1.2.2 国内发展现状
1.3 InP基HEMT器件模型的发展现状
1.4 本文研究内容及安排
2 InP基HEMT器件工作原理
2.1 器件基本工作原理
2.1.1 HEMT器件基本结构
2.1.2 异质结及二维电子气
2.2 InP基HEMT器件电学特性
2.2.1 电流-电压关系
2.2.2 跨导特性
2.2.3 输出电导
2.2.4 电流增益截止频率(fT)
2.2.5 最高振荡频率(fmax)
2.3 去嵌和校准技术
2.4 本章小结
3 InP基HEMT器件非线性等效电路模型研究
3.1 InP基HEMT器件非线性等效模型的建模流程
3.2 InP基HEMT器件小信号等效建模
3.2.1 寄生参数提取
3.2.2 本征参数提取
3.3 InP基HEMT器件大信号模型研究
3.3.1 肖特基模型
3.3.2 转移特性模型
3.3.3 输出特性(I-V)模型
3.3.4 交流特性(C-V)模型
3.3.5模型验证
3.4 本章小结
4 InP基HEMT器件非线性辐照模DC型研究
4.1辐照损伤原理及实验
4.1.1辐照损伤原理
4.1.2辐照实验
4.2辐照对肖特基特性的影响
4.3 InP基HEMT器件转移特性模型
4.4 InP基HEMT器件输出特性模型
4.5 本章小结
5 总结及展望
5.1 总结
5.2 展望
参考文献
个人简历
致谢
郑州大学;