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基于氮化铝/氮化硅堆叠结构和BCB桥的抗质子辐照InP基HEMT器件

摘要

本发明属于抗质子辐照半导体器件技术领域,具体涉及一种基于氮化铝/氮化硅堆叠结构和BCB桥的抗质子辐照InP基HEMT器件。所述InP基HEMT表面通过覆盖AlN/Si

著录项

  • 公开/公告号CN111403482A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 郑州大学;

    申请/专利号CN202010241787.6

  • 申请日2020-03-31

  • 分类号

  • 代理机构郑州联科专利事务所(普通合伙);

  • 代理人付艳丽

  • 地址 450001 河南省郑州市高新区科学大道100号

  • 入库时间 2023-12-17 10:41:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20200331

    实质审查的生效

  • 2020-07-10

    公开

    公开

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