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张海英; 刘训春; 尹军舰; 陈立强; 王润梅; 牛洁斌; 刘明;
中国科学院微电子研究所;
InP; HEMT; 微波单片集成电路;
机译:通过加速功率循环测试分析商用650 V离散型GaN-on-Si HEMT电源器件的断态漏源漏电流故障机理
机译:作为INP HEMT器件的能量基板的漏极电流的调制
机译:新型紧凑型单片有源调节自偏置InP HEMT放大器
机译:用于具有复杂形状的新型MOS器件结构中用于下一代源极/漏极硅化和接触硅化的CVD钴
机译:用于具有源/漏扩展的N型增强型氮化镓基肖特基势垒MOSFET的高级源极注入器
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:缩回:“非对称源/漏极中的功能特性/漏极中inalassb / Ingaas / InPΔ掺杂的高电子移动晶体管”Appl。物理。吧。 86,033505(2005)
机译:0.1um Inp HEmT器件和用于从x波段到W波段的低温低噪声放大器的mmIC
机译:具有存储器器件和逻辑器件的性能优化的栅极结构,该存储器器件具有相对于逻辑器件的硅化物源极/漏极区升高的硅化物源极/漏极区
机译:一种具有漏区和源区的原位生产的晶体管器件的制备方法以及相应的晶体管器件,所述漏极区和源极区具有可变形的端基合金和逐渐变化的掺杂剂分布
机译:在具有源极/漏极应力源的半导体器件中,防止硅化物将源极/漏极束缚在主体上的方法和结构
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