InP基HEMT质子和电子辐照效应研究

目录

声明

1 引言

1.1 课题研究背景及意义

1.2 国内外研究现状

1.2.1 InP基HEMT研究现状

1.2.2 HEMT辐照效应研究现状

1.3 本论文研究内容及安排

2 InP基HEMT工作原理及辐照效应

2.1 InP基HEMT结构和制作工艺

2.1.1 InP基HEMT结构

2.1.2 InP 基HEMT 制作工艺

2.2 InP基HEMT工作原理

2.2.1 InAlAs/InGaAs异质结

2.2.2 HEMT的直流和频率特性

2.3 辐照环境

2.4 辐照效应

2.4.1 电离效应(ID)

2.4.2 位移效应(DD)

2.5 本章小结

3 InP基HEMT物理模型及特性仿真研究

3.1 InP基HEMT物理模型

3.2 InP 基HEMT 特性仿真

3.2.1 InP基HEMT仿真结构

3.2.2 InP基HEMT直流和交流特性仿真

3.3 表面态缺陷对InP基HEMT特性的影响

3.3.1 表面态缺陷对InP基HEMT直流特性的影响

3.3.2 表面态缺陷对InP基HEMT频率特性的影响

3.4 本章小结

4 InP基HEMT质子辐照效应研究

4.1 质子辐照对In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As异质结的影响

4.1.1 质子辐照对In0.52Al0.48As和In0.53Ga0.47As材料的影响

4.1.2 质子辐照对In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As异质结的影响

4.2 InP基HEMT质子辐照效应仿真

4.2.1 辐照诱生缺陷类型和能级对InP基HEMT特性的影响

4.2.2 质子辐照能量和注量对InP基HEMT直流特性的影响

4.3 不同角度质子辐照对InP基HEMT特性的影响

4.3.1 In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As异质结在不同入射角度下的辐照损伤

4.3.2 InP基HEMT在不同入射角下的质子辐照损伤

4.4 本章小结

5 基于电荷控制模型的InP基HEMT质子辐照损伤研究

5.1 非均匀分布缺陷的电荷控制解析模型研究

5.2 基于电荷控制模型的常规工作状态器件特性仿真

5.3 基于电荷控制模型的InP基HEMT辐照损伤机制研究

5.4 本章小结

6 InP基HEMT电子辐照效应研究

6.1 实验样品制备和辐照实验

6.2 电子辐照对InP基HEMT直流特性的影响

6.2.1 电子辐照对InP基HEMT输出特性的影响

6.2.2 电子辐照对InP基HEMT输出特性Kink效应的影响

6.3 电子辐照对InP基HEMT栅电流的影响

6.4 电子辐照对InP基HEMT频率特性的影响

6.5 本章小结

7 总结与展望

7.1 总结

7.2 未来工作

参考文献

个人简历

致谢