Etude des centres à électrons créés par irradiation de protons dans InP:n

摘要

Les expériences ont été faites sur du matériau LEC non intentionnellement dopé. Les irradiations, avec des protons de 100 keV, sont effectuées aux températures 6 K, 77 K, 300 K et les pièges créés étudiés par méthodes capacitives : concentrations, profils et domaines de stabilités ont été déterminés. Les irradiations à 6 K et 77 K donnent les mêmes résultats expérimentaux. Quatre pièges principaux sont créés, identiques à ceux observés après irradiation aux électrons dans des conditions équivalentes. Il existe, de 77 K à 300 K, deux stades de recuit à 100 K et 160 K. L'un des centres au moins (A. 3) provient d'un processus complexe mettant en jeu une diffusion avant stabilisation. Une irradiation à 300 K est équivalente à une irradiation à 77 K suivie d'un recuit à 300 K.