质子辐射对GaAs和InP纳米线结构空间位移损伤特性研究

目录

第1章 绪论

1.1 课题的背景及研究的目的和意义

1.2 空间卫星轨道的辐射环境

1.3 粒子辐照半导体纳米线的研究现状与分析

1.3.1 GaAs 和 InP 纳米线的研究现状

1.3.2 半导体纳米线内缺陷的实验研究现状

1.3.3 粒子辐照半导体纳米线的模拟研究现状

1.3.4 粒子辐照 GaAs 和 InP 纳米线的研究现状

1.3.5 目前急需解决的问题

1.4 本论文的主要研究内容

第2章 质子辐照GaAs纳米线材料的荧光特性位移损伤研究

2.1 引言

2.2 GaAs 纳米线的制备及其物理性质研究

2.2.1 GaAs 纳米线的制备实验

2.2.2 GaAs 纳米线的物理性质

2.3 GaAs 纳米线位移损伤模型的载流子动力学研究

2.3.1 纳米线中载流子的复合动力学模型分析

2.3.2 GaAs 纳米线中载流子复合动力学模型

2.3.3 纳米线的荧光特性位移损伤模型

2.3.4 少子寿命位移损伤模型

2.4 GaAs/AlGaAs 纳米线的质子辐照实验研究

2.4.1 GaAs/AlGaAs 纳米线的质子辐照实验设计

2.4.2 GaAs/AlGaAs 纳米线稳态荧光特性研究

2.4.3 GaAs/AlGaAs 纳米线瞬态荧光特性研究

2.4.4 GaAs/AlGaAs 纳米线荧光特性位移损伤研究

2.5 质子辐照GaAs 纳米线的蒙特卡洛模拟研究

2.5.1 IM3D模拟简介

2.5.2 IM3D模拟验证

2.5.3 纳米尺寸效应对GaAs 纳米线辐射损伤的影响

2.6 本章小结

第3章 质子辐照GaAs/AlGaAs纳米线结构的光电特性位移损伤研究

3.1 引言

3.2 GaAs/AlGaAs 纳米线阵列结构的制备及其光电特性研究

3.2.1 光电探测器纳米线阵列结构的制备

3.2.2 GaAs/AlGaAs 纳米线阵列结构的光电特性分析

3.3 GaAs/AlGaAs 纳米线阵列结构的光电特性位移损伤理论

3.3.1 暗电流位移损伤效应

3.3.2 光电响应位移损伤效应

3.4 GaAs/AlGaAs 纳米线阵列结构的质子辐照实验研究

3.4.1 GaAs/AlGaAs 纳米线阵列结构的质子辐照实验设计

3.4.2 GaAs/AlGaAs 纳米线阵列结构的光电特性位移损伤分析

3.5 本章小结

第4章 质子辐照InP 纳米线激光器的性能位移损伤研究

4.1 引言

4.2 InP纳米线的制备及其物理性质研究

4.2.1 InP 纳米线的制备实验

4.2.2 InP 纳米线的物理性质

4.3 InP纳米线荧光特性位移损伤模型

4.3.1 纳米线少子寿命与荧光强度位移损伤分析

4.3.2 纳米线的载流子辐射复合寿命位移损伤分析

4.4 InP纳米线的荧光特性位移损伤实验研究

4.4.1 InP 纳米线稳态荧光特性分析

4.4.2 InP 纳米线瞬态荧光特性分析

4.4.3 InP 纳米线荧光特性位移损伤分析

4.5 InP纳米线激光器的稳态输出特性位移损伤研究

4.5.1 纳米线激光器的性能位移损伤理论模型

4.5.2 InP 纳米线激光器的性能位移损伤分析

4.6 本章小结

第5章 典型卫星轨道中光伏电池InP 纳米线结构抗辐射实验研究

5.1 引言

5.2 PIN型光伏电池 InP 纳米线结构的制备及其光电特性研究

5.2.1 PIN型光伏电池 InP 纳米线结构的制备实验

5.2.2 PIN型光伏电池 InP 纳米线结构的光电性能分析

5.3 典型轨道上辐射环境的粒子模型

5.4 PIN型光伏电池 InP 纳米线结构的抗辐射特性实验研究

5.4.1 光伏电池 InP 纳米线结构的伏安特性位移损伤分析

5.4.2 与 InP 块体结构的抗辐射特性比较

5.5 本章小结

结论

参考文献

攻读博士学位期间发表的论文及其他成果

声明

致谢

个人简历