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【2h】

Low-Noise Cryogenic X-Band Amplifier Using Wet-Etched Hydrogen Passivated InP HEMT Devices

机译：采用湿蚀刻氢钝化Inp HEmT器件的低噪声低温X波段放大器

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作者
Juan Daniel; Gallego Puyol; Otte J. Homan; Alberto Barcia Cancio;
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年度 2016
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1. Low-noise cryogenic X-band amplifier using wet-etched hydrogen passivated InP HEMT devices [J] . Lopez-Fernandez I., Puyol J.D.G. IEEE Microwave and Guided Wave Letters . 1999,第10期

机译：使用湿蚀刻氢钝化InP HEMT器件的低噪声低温X波段放大器
2. GaAs HEMT low-noise cryogenic amplifiers from C-band to X-band with 0.7-K/GHz noise temperature [J] . Risacher C., Belitsky V. IEEE microwave and wireless components letters . 2003,第3期

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3. InP-HEMT X-band Low-Noise Amplifier With Ultralow 0.6-mW Power Consumption [J] . Liu L., Alt A. R., Benedickter H., Electron Device Letters, IEEE . 2012,第2期

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4. 0.1 /spl mu/m InP HEMT devices and MMICs for cryogenic low noise amplifiers from X-band to W-band [C] . Grundbacher R., Lai R., Barsky M., Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th . 2002

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