n型掺杂与p型掺杂对纳米ZnO激子发射特性的影响

机译：氮掺杂的P型Znse，P型Zns_yse_（1-y）和P型Zn_（1-x）mg_xs_yse_（1-y）外延受体的激子和给体-受体对的活化能Gaas（1 0 0）衬底上生长的薄膜

机译：Gd掺杂和未掺杂的p型GaSe的激子吸收和Urbach-Martienssen尾巴

机译：SN-取代的Ga和掺杂剂含量对P型X型SnO2（X = Ga和In）膜的结构，电和光学性质的影响：测试X掺杂SnO2 / N-Si结的光电效应

机译：n型共掺杂物对增强p型共掺杂ZnSe中p型掺杂剂结合的作用

机译：磷掺杂的n型和氢掺杂的p型CVD金刚石薄膜的光电研究。

机译：用交替的Mg掺杂/未掺杂的AlGaN层结构改善p型alga电导率

机译：通过将p型掺杂剂添加到金属化层中通过将p型掺杂剂添加到P-GaN中的欧姆特性

机译：Znse的p型和N型掺杂：氢掺入的影响

机译：太阳能电池具有太阳能电池层，该太阳能电池层具有交替布置的几个n型掺杂区和p型掺杂区，使得连续的p型掺杂区和n型掺杂区通过本征区彼此隔开并间隔开。

机译：晶闸管点火灵敏度调节方法，涉及在半导体主体中依次布置p型掺杂发射极，n型掺杂基极，p型掺杂基极和n型掺杂主发射极。

机译：评估硼掺杂的p型硅晶片中的金属污染的方法，评估硼掺杂的p型硅晶片中的金属污染的装置以及制造硼掺杂的p型硅晶片的方法