Hydrogen; Doping; N type semiconductors; P type semiconductors; Zinc selenides; Sources; Reprints; Annealing; Hydrides; Control systems; Environments; Plasmas(Physics); Resistance; Gallium arsenides; Coherence; Light; Tracking; Voltage; High pressure; Ele;
机译:通过用n型氧掺杂氮化物杂交的P型硼掺杂石墨烯的协同双掺杂来实现纳米级P-N结,以增强光催化氢气进化
机译:MOVPE在常压下通过紫外线在化学计量控制的p型ZnSe晶体上生长n型ZnSe晶体
机译:在大气压力和化学计量控制的p型ZnSe晶体上用紫外线辐照MOVPE生长n型ZnSe晶体
机译:n型共掺杂物对增强p型共掺杂ZnSe中p型掺杂剂结合的作用
机译:磷掺杂的n型和氢掺杂的p型CVD金刚石薄膜的光电研究。
机译:P型Cu中的电荷输送增强的最佳N型Al掺杂ZnO叠层
机译:掺杂浓度对由化学浴沉积法生长的内在N型ZnO(I-ZnO)和(Cu,Na和K)掺杂P型ZnO薄膜的光学和电性能的影响
机译:锌双(酰胺)化合物被评估为设计的前体,用于Znse的位置选择性p型掺杂