Excimer-laser crystallization; Thin-film devices; Polycrystal silicon; Grain; Phase-shift; Thin-film transistors; SOL; Solar-cells; Porous Si;
机译:具有抑制的多晶硅栅极耗尽和超浅结的先进互补金属氧化物半导体器件的新型激光退火工艺
机译:通过绿色激光退火在双层多晶硅薄膜上制造的薄膜器件
机译:利用嵌入式单晶硅颗粒开发的器件迁移率> 500 cm〜2 / V·S的硅工艺,适用于大面积显示背板
机译:准单晶硅薄膜器件的先进的准分子激光退火工艺
机译:硅的激光束处理:绝缘体上硅材料和器件的激光退火和激光重结晶研究
机译:具有固溶处理的金属氧化物半导体和介电膜的可穿戴式1 V工作薄膜晶体管通过低温深紫外光退火在低温下制成
机译:非晶薄膜氧化物功率器件,超出散装单晶硅极限
机译:薄膜多晶硅光伏器件的探索性发展。用于连续剪切分离微晶硅薄膜的钼TEss工艺。第2号专题报告