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【24h】

Development of a Silicon Process with Device Mobility >500 cm~2/V·S Suitable for Large Area Display Backplane Using Embedded Single-Crystal Silicon Particles

机译:利用嵌入式单晶硅颗粒开发的器件迁移率> 500 cm〜2 / V·S的硅工艺,适用于大面积显示背板

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摘要

We report device mobility >500 cm~2/V·s in a scalable process suitable for electronic backplanes for large area OLED displays. Ceramic substrates as large as 4×4 inches were fabricated utilizing planarized regions of Single Crystal Silicon (SCS).
机译:我们报道了器件的迁移率> 500 cm〜2 / V·s,采用可扩展的工艺,适用于大面积OLED显示器的电子底板。利用单晶硅(SCS)的平坦化区域,可以制造出4×4英寸的陶瓷基板。

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