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姚瑞楠; 刘玉奎; 崔伟;
重庆邮电大学光电工程学院;
模拟集成电路国家级重点实验室;
中国电子科技集团公司第二十四研究所;
半导体工艺; 铬硅电阻; 退火条件; 温度系数;
机译:退火工艺对氧化铬薄膜丝基电阻切换机理的影响
机译:用聚苯乙烯-b-聚二甲基硅氧烷嵌段共聚物薄膜实现结构控制:界面化学,退火方法和工艺条件的复杂关系
机译:固相结晶制备的多晶硅薄膜晶体管全带隙中陷阱密度的提取及其后退火工艺条件的影响
机译:退火冲击对硼掺杂氢化纳米晶硅薄膜电阻率影响的实验研究
机译:在快速辅助快速热退火过程中,硼的活化和扩散会改变硅的初始工艺条件。
机译:退火工艺对Ni(55%)Cr(40%)Si(5%)薄膜电阻器性能的影响
机译:与硅集成电路兼容的钽薄膜电阻器工艺
机译:用于集成电路的薄膜电阻器具有包含硅或锗,碳和铬或镍或包含硅,锗和铬或镍的电阻层
机译:激光退火设备,多晶硅薄膜的生产工艺以及由该公司生产的多晶硅薄膜
机译:用于显示避免保护层的图像的热记录头-包括硅@,氧化硅和钽或铬@合金的薄膜电阻层和导体层,用于热敏记录介质热敏电阻
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