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陈城钊; 邱胜桦; 陈洪财; 林璇英;
韩山师范学院物理与电子工程系;
汕头大学物理系;
多晶硅薄膜; 氢等离子体加热; Raman谱; FT-IR谱; 暗电导率; 光学带隙;
机译:固相结晶制备的多晶硅薄膜晶体管全带隙中陷阱密度的提取及其后退火工艺条件的影响
机译:退火条件对纤锌矿型Cu2ZnSnS4纳米粒子结构稳定性和光电性能的影响
机译:CdCl2退火处理对近距离升华CdTe / CdS薄膜太阳能电池结构和光电性能与沉积条件的影响
机译:衬底来源和退火条件对SnO / sub 2 /多晶硅薄膜电导率稳定性的影响
机译:壳聚糖吸附染料的物理形式和退火条件的影响。
机译:微波退火对硅衬底中等离子体诱导的缺陷结构的光电性能的影响
机译:脉冲热退火对局部生长多晶硅薄膜光电性能的影响
机译:退火条件对si +和mg +注入211 GaN掺杂抗旋转性能的影响
机译:激光退火装置,多晶硅薄膜的制造方法以及由其制造的多晶硅薄膜
机译:激光退火设备,多晶硅薄膜的生产工艺以及由该公司生产的多晶硅薄膜
机译:脱碳条件下或不影响汽化程度的金属零件的退火工艺和装置
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