快速退火对多晶硅薄膜应力特性的影响

摘要

报道子快速退火（ＲＴＡ）对低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力的影响，研究了退火温度和时间及掺杂浓度关系，ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力。采用快速火可以使其压应力松弛，并使其转变成征张应力。