利用准分子激光退火工艺制作多晶硅薄膜的方法

摘要

本发明提供一种利用准分子激光退火工艺制作多晶硅薄膜的方法，该方法首先于一衬底上形成一非晶硅薄膜，其中该非晶硅薄膜于靠近中央的第一区域上具有一第一厚度，而于靠近外缘的第二区域内具有一倾斜侧壁构造，其厚度向外递减。接着对该非晶硅薄膜进行厚度测量，以得到该非晶硅薄膜靠近外缘处的厚度分布，并据以设定该准分子激光退火工艺的工艺边界。接着对该工艺边界内的区域进行该准分子激光退火工艺，使该区域内的该非晶硅薄膜再结晶成一多晶硅薄膜。其中该工艺边界处的该非晶硅薄膜具有一小于该第一厚度的第二厚度，且该第二厚度大于该准分子激光退火工艺的一临界厚度，以避免该非晶硅薄膜于该退火工艺中产生烧蚀现象。