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激光退火法低温制备多晶硅薄膜的研究

         
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摘要

利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜,采用xRD、sEM等分析手段,进行了表征分析.对晶化的罔值能量密度进行了计算.并对激光退火的机理进行了探讨.研究结果表明:a-Si晶化的阈值能量密度与薄膜的厚度无关,在晶化区内,晶粒尺寸的大小随着照射到薄膜表面的激光能量密度的增加而增加.

著录项

  • 来源
    《液晶与显示》 |2000年第1期|46-52|共7页
  • 作者

    刘传珍; 杨柏梁; 李牧菊; 吴渊; 张玉; 李轶华; 邱法斌; 黄锡珉;

  • 作者单位

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所;

    北方液晶工程研究开发中心,吉林长春,130021;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所;

    北方液晶工程研究开发中心,吉林长春,130021;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所;

    北方液晶工程研究开发中心,吉林长春,130021;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所;

    北方液晶工程研究开发中心,吉林长春,130021;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所;

    北方液晶工程研究开发中心,吉林长春,130021;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所;

    北方液晶工程研究开发中心,吉林长春,130021;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所;

    北方液晶工程研究开发中心,吉林长春,130021;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所;

    北方液晶工程研究开发中心,吉林长春,130021;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 薄膜的性质;半导体晶体物理;
  • 关键词

    p-si薄膜; 激光退火; 能量密度;

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