Chartered Semiconductor, Hopewell Junction, NY, 12533;
Applied Materials, Santa Clara, CA, 95054;
机译:溶胶凝胶衍生的CeO2 CMOS介电薄膜的合成与表征
机译:用于先进CMOS器件的硅上基于Hf的高k介电膜的热稳定性
机译:65nm以下CMOS技术中用于多核处理器的3D-IC性能分析
机译:低热预算的双频氮化硅膜,适用于0.25 / spl mu / m以下器件中的金属前电介质应用
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:高k和更稳定的稀土氧化物作为先进CMOS器件的栅极电介质的设计
机译:CMOS兼容装置中的集成2D石墨烯氧化物薄膜增强光学非线性性能
机译:LDRD最终报告 - 研究沉积磁性薄膜在磁记忆技术上的工艺整合对辐射强化CmOs器件和电路的影响 - LDRD项目(FY99)