Department of Microelectronics and Information Technology, Royal Institute of Technology, Electrum 229, 16440 Kista, Sweden;
机译:用于光电子开关的掺杂低温生长的GaAs材料
机译:低温生长GaAs中材料生长和退火条件对复合过程的影响
机译:低温生长GaAs中材料生长和退火条件对复合过程的影响
机译:掺杂在低温生长GaAs材料性质中的影响
机译:溶液等离子体合成阳离子氮掺杂碳材料及其性能
机译:在n型GaAs(111)B衬底上生长的p掺杂GaAs纳米线阵列的光伏性能
机译:掺铍低温生长的GaAs / AlAs多量子阱中的飞秒响应时间