一种低温下生长GaAs纳米线的方法

摘要

本发明公开了一种低温下生长GaAs纳米线的方法，包括以下步骤：(1)衬底以及晶向选取；(2)对衬底表面进行清洗，除掉自然氧化层；(3)对衬底进行退火处理，除去残留在硅表面的水合物以及有机物；(4)GaAs纳米线的制备：采用分子束外延生长工艺，利用交替生长法在处理后的衬底上生长GaAs纳米线。本发明具有生长工艺简单，制备成本低，可以在低温下生长出密度高，形貌好的GaAs纳米线的优点。同时本发明制备的GaAs纳米线晶体质量好，比表面积大，没有引入异质元素杂质，具有较高的发光效率和光吸收率。