GaAs基量子点微纳(微柱、纳米线)量子光源研究

摘要

以SK(Stranski-Krastanov）模式生长的低密度GaAs基量子点(InAs/GaAs或GaAs/AlGaAs）,由于可在类二能级体系中周期性地光泵浦或电注入电子、空穴,在低温下具有类原子光谱而用以制备单光子源.它具有高的振子强度,窄的谱线宽度,波长可调谐,且容易集成等优势,从而成为固态量子物理和量子信息器件领域研究的热点.目前，实现高效量子点量子光源面临的挑战性问题是单量子点的可控制备、高效收集以及纠缠光子对的同时高效提取等。近年来，将单个量子点置于微纳结构，（微腔，波导结构）中，可有效增强量子点的荧光提取效率，进一步制备高品质的量子光源。本文首先报道了基于微柱结构的量子点单光子源的制备及其特性，在分子束外延生长的自组织量子点平板结构中，利用单量子点的荧光成像定位技术，并将荧光成像定位技术应用于微柱量子点结构，实现成品率大于50%，单光子提取效率大于65%的确定性单光子源。