Virginia Commonwealth University, Dept. of Electrical Engineering, Richmond, VA23284;
机译:通过MBE在SiC / Si(111)混合衬底上的GaN纳米线的光学性质
机译:的GaN 的 光学性质 纳米线 生长 通过MBE 对SiC / Si的 (111) 混合衬底
机译:等离子体辅助MBE生长的AlN / Si(110)衬底上氨MBE生长的GaN层的光学和晶体性质
机译:MBE在多孔SiC基板上生长的GaN膜的微观结构和光学性质
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:在a平面和m平面GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究
机译:通过MBE在SiC / Si(111)混合衬底上的GaN纳米线的光学性质