Power Electronics Research Center National Institute of Advanced Industrial Science and Technology Central 2 1-1-1 Umezono Tsukuba Ibaraki 305-8568 Japan;
4H-SiC; homoepitaxial growth; dislocation; propagation; conversion; surface damage; in-situ H_2 etching;
机译:4H-SiC外延层中3C和6H向内生长缺陷的阱间耦合效应
机译:4H-SiC(0001)外延层中向内生长的堆叠缺陷的表征及其对高压肖特基势垒二极管的影响
机译:镜面电子显微镜无损观察4H-SiC外延层内生长缺陷
机译:4H-SiC外延层内向位错生长的研究
机译:基于4H-SiC N型外延层和像素Cdznte单晶装置的高分辨率辐射检测器
机译:影响3C夹杂物发生的因素的调查用于轴上的轴C面4H-SIC外延层
机译:4H-SiC(0001)外延层中向内生长的堆叠缺陷的表征及其对高压肖特基势垒二极管的影响