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冯国光;
不详;
二聚体; 层错; 梯杆位错; 外延层; 外延生长; 半导体;
机译:在原位裂解的(110)GaAs表面上生长的ZnSe外延层中与Lomer-Cottrell状位错相关的光致发光观察
机译:ZnSe / GaAs外延层中90°α位错的光致应力
机译:MBE生长的GaAs外延层中的激光散射缺陷与半绝缘衬底中的位错有关
机译:通过外延层中穿线边缘位错的形貌分析表征4H-SiC衬底中的基础平面位错
机译:立方氧化锆和蓝宝石(α-氧化铝)单晶中的位错速度和位错结构
机译:1.0-1.16-eV光子应用中接近晶格匹配条件的GaAsSbN / GaAs外延层中Sb和N的掺入相互作用
机译:ZnSe(外延层)/ GaAs(外延层)中应变的温度依赖性
机译:应变外延层中线程位错逮捕的判据及其路径中的界面错配位错
机译:通过高温退火消除后生长的碳化硅外延层中的基面位错,同时保留表面形态
机译:等电表面活性剂抑制变质外延层中的螺纹位错
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