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第一章 绪论
1.1 SiC材料的优越性
1.2 SiC材料缺陷的研究现状
1.3 理论模拟方法
1.4 本文主要工作
第二章 4H-SiC材料中的缺陷
2.1 SiC多型体结构
2.2 晶格缺陷
2.2.1 缺陷的分类
2.2.2 位错理论基础
2.34H-SiC材料中的缺陷
2.4 本章小结
第三章 计算理论及软件介绍
3.2 两个基本近似
3.1.1 Born-Oppenheimer绝热近似
3.1.2 Hartree-Fock近似
3.2 密度泛函理论
3.2.1 Hohenberg-Kohn-Sham理论
3.2.2 局域密度近似和广义梯度近似
3.2.3 自洽计算
3.3 材料模拟软件
3.3.1 周期性体系和赝势
3.3.2 CASTEP的计算体系
3.4 本章小结
第四章 第一性原理研究4H-SiC刃型位错
4.1 完整晶格模拟结果和分析
4.24H-SiC刃型位错模型的建立
4.3 刃型位错计算结果分析
4.4 几何优化
4.5 本章小结
第五章 结束语
致谢
参考文献