机译:4H-SiC中完美的螺钉基面位错转换为螺纹边缘位错的反应途径分析
Univ Tokyo, Sch Engn, Dept Mech Engn, Bunkyo Ku, Tokyo 1138656, Japan;
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机译:4H-SIC中完美螺旋基底平面脱位转换的反应途径分析
机译:4H-SiC基面位错至螺纹边缘位错相同转换点的横截面和平面图STEM分析
机译:4H-SiC衬底上具有邻角倾斜的外延层生长过程中基面位错向螺纹边缘位错的转换
机译:基于平面脱位转化为带有邻近偏角的4H-SiC基板上外延层的螺纹边缘位错
机译:分析通过剪切波速度加速的位错(螺杆/边缘)。
机译:4H-SiC 100 mm PVT生长过程中基面位错密度和热机械应力分析
机译:4H-siC溶液生长过程中螺纹螺旋位错转换的演变
机译:螺纹螺纹和刃口位错对4H-siC同质外延层输运性能的影响