Rockwell Scientific Company, Thousand Oaks, CA;
机译:基于计算建模的设备设计,用于改进MMWAVE性能和GaN Hemts的线性
机译:用于功率应用的SiC和Si衬底上常关p-GaN栅极AlGaN / GaN HEMT的高温性能
机译:通过针对毫米波应用的GaN缓冲器的P型掺杂,改善了AlGaN / GaN Hemt中的RF和DC性能
机译:MMWAVE应用的高性能GaN HEMTS
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:基于计算建模的设备设计,用于改进MMWAVE性能和GaN Hemts的线性