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【6h】

GaN HEMT高性能功率放大器研究

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第一章 绪论

1.1 引言

1.2 国内外发展现状

1.3 论文的主要内容及工作安排

第二章 射频功率放大器设计基础

2.1 功率放大器概述

2.2 两端口网络散射参数

2.3 功率放大器的主要性能指标

2.4 阻抗匹配网络设计

2.5 本章小结

第三章 宽带功率放大器设计方法

3.1 多支节阻抗匹配

3.2 多级阻抗渐变式匹配

3.3 引入负反馈的宽带电路结构

3.4 本章小结

第四章 宽带功率放大器电路设计

4.1 0.8~3GHz功率放大器设计指标

4.2 0.8~3GHz整体功率放大器设计

4.3 0.8~3GHz功率放大器组装以及测试结果分析

4.4 3~6GHz功率放大器设计指标

4.5 3~6GHz功率放大器的设计

4.6 本章小结

第五章 F类功率放大器设计基础

5.1 F类功率放大器概述

5.2 最大平坦化波形

5.3谐波控制电路

5.4 本章小结

第六章 F类功率放大器设计

6.1功率放大器设计指标

6.2 介质基板选择

6.3 功率晶体管选择

6.4 F类功率放大器电路设计

6.5 F类功率放大器组装以及测试结果分析

6.6 本章小结

第七章 总结与展望

7.1 总结

7.2 展望

致谢

参考文献

附录

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著录项

  • 作者

    轩雪飞;

  • 作者单位

    杭州电子科技大学;

  • 授予单位 杭州电子科技大学;
  • 学科 电子科学与技术
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 程知群;
  • 年度 2018
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 中文
  • 中图分类 半导体技术;晶体生长;
  • 关键词

    HEMT; GaN; 高性能;

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