Department of Chemical Engineering, University of Texas at Austin, TX, USA 78712;
Department of Chemical Engineering, University of Texas at Austin, TX, USA 78712;
Department of Chemical Engineering, University of Texas at Austin, TX, USA 78712;
Atomic layer deposition; FeFET; Negative capacitance; Ferroelectrics; Barium titanate; Heterostructure;
机译:通过原子层沉积/分子层沉积种植的ZnO / AlO_x /苯薄膜异质结构的表征
机译:通过化学气相沉积和原子层沉积在Ru(0001)上生长的石墨烯/六方BN异质结构的电子结构:外在掺杂的石墨烯
机译:使用GaSb / GaP容纳层将高电子迁移率基于InAs的异质结构在精确(001)硅上进行单片集成
机译:使用原子层沉积金属 - 铁电半导体异质结构的单片集成
机译:使用原子层沉积技术为分子电子学设计单片纳米隧道结。
机译:通过原子层沉积实现安培H2O2检测的纳米级Au-ZnO异质结构
机译:通过原子层沉积在GE(001)上的单片集成:用SRHFXTI1-XO3进行案例研究
机译:用于提供和集成通用金属输送源(GmDs)与原子层沉积(aLD)的方法和装置。