NXP Semiconductors, Gerstweg 2, 6534 AE, Nijmegen, The Netherlands;
MOSFET power amplifiers; Microwave amplifiers; Semiconductor device fabrication;
机译:雷达施用S频段脉冲 - 射频老化寿命试验下功率N-LDMOS的RF性能可靠性
机译:HEMT晶体管和MMIC增强了S波段雷达的应用
机译:在用于雷达的330 W RF-LDMOS晶体管上进行了5000 h的射频寿命测试
机译:S带雷达LDMOS晶体管
机译:高压LDMOS晶体管基于可扩展的基于表面电势的紧凑模型
机译:双通道S波段调频连续波穿墙雷达成像
机译:用于雷达和通信的高性能S波段晶体管