S波段100W硅LDMOS功率芯片鲁棒性的提高方法

摘要

通过对功率管损坏机理进行分析，得出器件损坏的主要原因是LDMOS管的电流集中在硅表面，造成局部温度过高;使用优化漏结，把电流引入体内的方法解决了电流集中在硅表面的问题，提高了功率芯片的鲁棒性。使用优化漏结的功率芯片，做完内匹配后在负载牵引上测试输出功率、效率、功率增益。