公开/公告号CN206451707U
专利类型实用新型
公开/公告日2017-08-29
原文格式PDF
申请/专利权人 成都泰格微电子研究所有限责任公司;
申请/专利号CN201720120091.1
申请日2017-02-09
分类号
代理机构成都金英专利代理事务所(普通合伙);
代理人袁英
地址 611731 四川省成都市高新西区新文路18号
入库时间 2022-08-22 02:55:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-08-29
授权
授权
机译: 可配置二极管芯片的高功率发光二极管封装的铅框架和使用相同封装的高功率发光二极管封装的铅框架
机译: 高功率GaN LED的倒装芯片组件和灯,晶圆级倒装芯片封装工艺及其制造方法
机译: 大功率发光二极管灯的组件,具有灯壳和产生热能的高输出发光二极管芯片,其中芯片载体延伸到散热元件中