S帯170W／70％パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器一高調波処理によるGaN-On-Siデバイスの高効率化

摘要

高い出力電力特性を有するGaNトランジスタを安価なSi基板上に形成したGaN-on-SiトランジスタからなるS帯高出力増幅器の試作結果について報告する．100W級の出力電力が得られるようFETのゲート幅を選択するとともに，その入力側および出力側における高調波処理により動作効率の改善を図った結果，2.1GHz帯にて出力電力170W，ドレイン効率70％の良好な特性を得た．著者らの知る限り，今回得られた特性は過去の類似報告例と比べてほぼ最高水準にあるものといえる．