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傅义珠; 李相光; 张树丹; 王佃利; 王因生; 康小虎; 姚长军;
南京电子器件研究所;
硅; 微波功率晶体管; S波段;
机译:FET RF PA拓扑结构辅助雷达,航空电子设备HVVi Semiconductors(Phoenix)的HWFET(高压垂直场效应晶体管)是针对L波段航空电子设备和脉冲雷达应用(例如IFF,TCAS,TAC)的硅功率晶体管系列
机译:效率为60%,输出功率为30W X波段功率放大器,效率为33%,输出功率为100W Ku波段功率放大器,采用0.15μmGaN HEMT
机译:效率超过50%C波段340W,X波段100W类GaN高功率放大器
机译:100W L波段雷达应用的新型硅高压垂直MOSFET技术
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:用于在O波段泵浦的稀土掺杂电信波段放大器的富硅氮化物环形谐振器
机译:用于X波段应用的低电阻硅上的高性能GaN高电子迁移率晶体管
机译:缺陷态空间位置对非晶硅和多晶硅薄膜晶体管开关特性的影响:amps 2-D的数值模拟
机译:微波功率硅晶体管L波段
机译:L波段机载雷达大功率高效脉冲功率放大器的频谱控制电路设计
机译:不需要变压器的脉冲功率放大器-在放大晶体管集电极中具有电阻器或晶体管分流串联RC电路
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