0.15μm GaN HEMT を用いた効率 60%,出力 30W X 帯電力増幅器と効率 33%,出力 100W Ku 帯電力増幅器

摘要

ゲート長 0.15μm GaN HEMT を用いた X 帯および Ku 帯電力増幅器の試作結果を報告する．ゲート長0.15μm プロセスを採用することにより，X 帯や Ku 帯などの高周波数帯においても高利得特性を実現するまた，高効率化をはかるために，各電力増幅器を構成するトランジスタの入出力側に小型な二倍波処理回路を適用した．評価の結果，X 帯電力増幅器は出力電力 30W において電力付加効率 58.6%，Ku 帯電力増幅器は CW 動作において出力電力 100W，電力付加効率 33%を達成した．