一种射频功率LDMOS器件封装级鲁棒性评估方法

摘要

一种射频功率LDMOS器件封装级鲁棒性评估方法，所述方法包括步骤：获取待评估射频功率LDMOS器件；对所述射频功率LDMOS器件进行TLP ESD测试；对高压工作的所述射频功率LDMOS器件进行Load‑pull测试；对预设鲁棒性工艺下的所述射频功率LDMOS器件进行VSWR测试；对低压工作的所述射频功率LDMOS器件进行UIS测试；综合根据所有测试结果得到鲁棒性评估结果。本申请提供的一种射频功率LDMOS器件封装级鲁棒性评估方法主要对封装级的射频功率LDMOS器件进行鲁棒性的评估，随着对鲁棒性研究的深入和工艺的不断优化，最终获得了可以和市场媲美的高鲁棒性LDMOS。