Drain Induced barrier lowering (DIBL); Effective conducting path effect (ECPE); Short channel effect (SCE); Silicon Nanowire Transistor (SNWT); Surrounding gate (SG);
机译:短沟道四栅极硅纳米线晶体管的量子阈值电压建模
机译:绝缘硅上金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的背栅电压依赖性分析及其在Si单电子晶体管中的应用
机译:具有双材料栅极的无结圆柱形环绕栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的准二维阈值电压模型
机译:围栅硅纳米线晶体管的性能分析和阈值电压建模
机译:应变对硅CMOS晶体管的影响:阈值电压,栅极隧穿电流和1 / f噪声特性。
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件使用p型硅纳米线通道
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